Esd保護トランジスタ素子

Esd protective transistor element

Abstract

【課題】 ソフトリークの発生による特性劣化を防止できるESD保護トランジスタ素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板11上に形成したウェル12内に、ウェル12と逆導電型の第1半導体領域13を、かかる第1半導体領域13がウェル12またはウェル12と同導電型の半導体領域を挟んで離間するように形成する。これにより、第1半導体領域13に静電放電(ESD)による高電圧・高電流が印加される場合であっても、第1半導体領域13が素子分離膜15と直接接しないため、素子分離膜端に生じる結晶欠陥が抑制されることにより、ソフトリークの発生を防止できる。 【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ESD protective transistor element the characteristic deterioration of which due to occurrence of soft leak can be prevented.SOLUTION: In a well 12 formed on a semiconductor substrate 11, a first semiconductor region 13 of a conductivity type reverse to that of the well 12 is formed so as to be separated while holding the well 12 or a semiconductor region of a conductivity type same as that of the well 12. Since the first semiconductor region 13 does not come into direct contact with an element isolation film 15, even if a high voltage high current is applied to the first semiconductor region 13 by electrostatic discharge (ESD), occurrence of crystal defect at the end of the element isolation film is suppressed, and occurrence of soft leak can be prevented.

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Patent Citations (6)

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