極薄ダイおよびその製造方法

Ultra-thin die and method of fabricating the same

Abstract

【課題】半導体基板を完全に貫通しないためダイを個片化しない不完全エッチングと、材料を除去し過ぎてダイを薄化し過ぎるオーバーエッチングとの両方が防止され得るようにする。 【解決手段】半導体基板の正面のスクライブ領域の上に、終了点材料を含む終了点層を形成し、半導体基板の背面の上にマスク層を形成する。半導体基板からダイが形成される場所を規定するトレンチ領域をマスク層に形成した後、マスク層および半導体基板を同時にエッチングし、マスク層を除去すると同時に半導体基板にトレンチ領域を形成する。その後、半導体基板の背面からエッチングし、半導体基板を薄化すると同時に半導体基板のトレンチ領域を深くし、終了点材料を検出してから所定の時間後にエッチング工程を停止する。これによって、半導体基板が複数のダイへ個片化される。 【選択図】図11
PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent both incomplete etching, which fails to go completely through a semiconductor substrate and thus does not singulate dies, and overetching, which removes too much material and thins the dies too much.SOLUTION: An endpoint layer containing an endpoint material is formed on frontside scribe regions of a semiconductor substrate, and a mask layer is formed on a backside of the semiconductor substrate. After trench regions defining where dies are to be formed from the semiconductor substrate are formed in the mask layer, the mask layer and the semiconductor substrate are simultaneously etched to remove the mask layer and to form trench regions in the semiconductor substrate simultaneously. Then, etching is performed from the backside of the semiconductor substrate to simultaneously thin the semiconductor substrate and deepen the trench regions of the semiconductor substrate, and the etch process is stopped a predetermined amount of time after the endpoint material is detected. Thereby, the semiconductor substrate is singulated into a plurality of dies.

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Patent Citations (6)

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