Cross point type resistance change nonvolatile storage and writing method thereon

クロスポイント型抵抗変化不揮発性記憶装置及びその書き込み方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cross point type resistance change nonvolatile storage capable of reducing current consumption for writing by reducing leakage current flowing on non-selected memory cells.SOLUTION: When a writing cycle control signal outputted by a control circuit 215 represents "0" writing cycle, the "0" writing is carried out at the same time on a memory cell and a dummy cell which are selected based on a specific total number. When the writing cycle control signal output by the control circuit 215 represents "1" writing cycle, the "1" writing is carried out at the same time on a memory cell and a dummy cell which are selected based on a specific total number.
【課題】非選択メモリセルを流れる漏れ電流を削減し、書き込みの消費電流を削減することが可能なクロスポイント型抵抗変化不揮発性記憶装置を提供する。 【解決手段】制御回路215が出力する書き込みサイクル制御信号が“0”書き込みサイクルを表すとき、一定の合計数で選択されるメモリセル及びダミーセルに同時に“0”書き込みを実行し、制御回路215が出力する書き込みサイクル制御信号が“1”書き込みサイクルを表すとき、一定の合計数で選択されるメモリセル及びダミーセルに同時に“1”書き込みを実行する。 【選択図】図23

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Patent Citations (6)

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